煅烧温度对石墨层间距的调控规律主要体现在以下几个方面：

　　一、煅烧温度对石墨层间距的直接影响

　　低温阶段：

　　在较低的煅烧温度下（通常低于1500℃），石墨的层间距可能会略有增大，这是由于层间的杂质原子（如氢、氧、氮等）在加热过程中逐渐排出，导致层间距离略微增加。

　　但此时石墨的晶体结构并未发生显著变化，层间距的增大是有限的。

　　中温阶段：

　　当煅烧温度升至1500~2100℃时，石墨的层间距开始逐渐缩小。这是因为随着温度的升高，石墨晶体开始发生重排和缩合作用，层间的碳原子重新排列，使得层间距逐渐缩小。

　　同时，晶体平面上的位错线和晶界也逐渐消失，石墨的晶体结构趋于完善。

　　高温阶段：

　　在2100℃以上的高温煅烧下，石墨的层间距进一步缩小，且层间的碳网尺寸激增，三维有序结构趋于完善。

　　此时，石墨的晶体结构已经发生了显著变化，层间距的缩小和晶体结构的完善使得石墨的性能得到显著提升。

　　二、煅烧温度对石墨性能的影响

　　煅烧温度不仅影响石墨的层间距，还对其性能产生重要影响。随着煅烧温度的升高，石墨的硬度、密度、热导率和电导率等性能都会发生变化。

　　特别是在高温石墨化过程中（通常超过2000℃），石墨的微晶结构会从无序状态向石墨晶体结构转化，晶体的层面间距逐渐接近理想石墨晶体层面间距（约0.3354nm），同时晶体的增大成长和层面有序叠合也使得石墨的性能得到进一步优化。

　　三、实际应用中的考虑因素

　　在实际应用中，煅烧温度的选择需要根据石墨的具体用途和性能要求来确定。例如，对于需要高硬度和高密度的石墨制品，可以选择较高的煅烧温度；而对于需要良好导电性和热导性的石墨制品，则需要在保证晶体结构完善的前提下选择适当的煅烧温度。

　　此外，还需要考虑原料的性质、煅烧设备的限制以及生产成本等因素。

　　综上所述，煅烧温度对石墨层间距的调控规律是复杂的，不仅涉及温度本身的变化对层间距的直接影响，还与石墨的性能变化、实际应用需求以及生产成本等多个因素密切相关。因此，在制定煅烧工艺时，需要综合考虑各种因素，以确定最佳的煅烧温度。